HWI Intel toont 3D-transistors, RibbonFET, en PowerVia technologieën

[HighFlow]

Intel heeft enkele van zijn nieuwste transistor designs en productiemethodes ten toon gesteld bij het jaarlijkse IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM). Tijdens de 69ste editie van dit evenement liet het bedrijf onder andere 3D-gestapelde transistors getoond, De opvolger van FinFET; 'RibbonFET', en PowerVia. De 3D-gestapelde transistors zijn zogenaamde 'complementary field effect transistors' of CFET's, met een 'gate pitch' vergelijkbaar met 60nm. Intel's 7-node heeft een gate pit...

Continue reading...