Samsung werkt voor zijn 3nm-nodes en kleiner aan gate all around-transistoren (gaafet), waarbij de vinnen volledig worden omringd door de gate. Dit maakt kleinere transistoren mogelijk zonder last te krijgen van lekstroom en quantum tunneling, maar het maakt ook de productie moeilijker. Bij Samsung loopt de vooruitgang nog niet helemaal volgens gepland, aldus Digitimes. De marktanalist schrijft op basis van zijn eigen bronnen dat de productieafdeling van Samsung nog steeds niet in staat is om...
Continue reading...
Continue reading...